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RIE反应离子刻蚀机

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ICP高密度等离子体刻蚀系统

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ICP高密度等离子体刻蚀系统刻蚀范围:硅基:Si、SiNx、SiO2、Ge、GeSi、深硅刻蚀等Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、蓝宝石、SiC、金属(Al、Nb、W)等高密度等离子体支持8英寸或以下尺寸整片以及碎片刻蚀Load-Lock双腔,真空机械手传输气路数量可根据用户需求配置背氦精确控温,可实现低温/高温刻蚀软硬件互锁机制基于Windows操作软件,具备系统监测、工艺编辑、参数显示等功能,具备储存工艺日志和操作记录的能力可基于用户需求定制
 石墨烯CVD

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 去胶机

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可快速去除光刻胶、有机物、或实现表面改性功能尺寸定制,整片以及碎片处理Ar、O2两路工艺气体触屏操作
IBE离子束刻蚀系列机台

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